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BSM180D12P2C101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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BSM180D12P2C101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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제품 상세 정보:
원래 장소: 원형
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 교섭할 수 있습니다
가격: Negotiable
배달 시간: 교섭할 수 있습니다
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램
공급 능력: 100000

BSM180D12P2C101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

설명
부품번호: BSM180D12P2C101 제조사: Rohm 반도체
기술: MOSFET 2N-ch 1200V 180A 모듈 범주: 트랜지스터 - 페트스, 모스페트스 - 배열
가족: 트랜지스터 - 페트스, 모스페트스 - 배열

BSM180D12P2C101 Specifications

Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 35.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 10V
Power - Max 1130W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type -
Package / Case Module
Supplier Device Package Module
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

BSM180D12P2C101 Packaging

Detection

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연락처 세부 사항
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

담당자: Darek

전화 번호: +8615017926135

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