|
제품 상세 정보:
|
| 제품 모델: | IR2110STRPBF | 공급자 패키지: | SOIC-16 |
|---|---|---|---|
| 간결한 설명: | 반도체 | 상품 카테고리: | 집적 회로 |
| 적용 분야: | 전원관리 ICs | 제조 일자: | 1년 이내에 |
| 하이 라이트: | SMD 집적 회로 ICs,SMT 집적 회로 ICS,IR2110STRPBF |
||
| 제품 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 인피네온 | |
| 상품 카테고리 : | 게이트 드라이버 |
| 로에스 : | 세부 사항 |
| IGBT, mosfet 게이트 드라이버 | |
| 고전위측, 로우-측 | |
| SMD / SMT | |
| SOIC-16 | |
| 2개 드라이버 | |
| 2개 출력 | |
| 2.5 A | |
| 10 Ｖ | |
| 20 Ｖ | |
| 35 나노 초 | |
| 25 나노 초 | |
| - 40 Ｃ | |
| + 125 Ｃ | |
| 릴 | |
| 컷 테이프 | |
| 릴 | |
| 브랜드 : | 인피니언 테크놀러지 |
| 특징 : | 독립형 |
| 높이 : | 2.35 밀리미터 |
| 길이 : | 10.5 밀리미터 |
| 논리형 : | CMOS, TTL |
| 최대 정지 지연 시간 : | 94 나노 초 |
| 최대 턴 온 지연 시간 : | 120 나노 초 |
| 민감한 수분 : | 예 |
| 작동 공급전류 : | 340 uA |
| Pd - 전력 소모 : | 1.25 Ｗ |
| 상품 종류 : | 게이트 드라이버 |
| 전달 지연 - 맥스 : | 150 나노 초 |
| 1000 | |
| 하위범주 : | PMIC - 전원관리 ICs |
| 기술 : | Si |
| 폭 : | 7.6 밀리미터 |
| 부분 # 가칭 : | IR2110STRPBF SP001539178 |
| 단일 가중치 : | 0.019753 온스 |
| 가격 요구 형태에 대한 애드부 | 가격 요구를 제출하세요 | 우리는 24 시간 이내에 응답합니다 |
| 당신은 명령을 확인합니다 | 지불 | 당신의 명령을 외국으로 보내세요 |
| 집적 회로 Ics | ||||
| SSD2832G24 | SSD2830QL9 | SSD2829QL9 | SSD2861QN10 | SSD2858K1 |
| SSD2848K1 | SSD2828QN4 | SSD2805CG39R | SSD1963G41 | A4988SETTR-T |
| MIC28515T Ｅ / PHA | MIC28514T Ｅ / PHA | MIC28513-1YFL-tr | MIC28516T Ｅ / PHA | MIC28510YJL-TR |
| TPS54160DGQR | TPS54160ADRCR | TPS54140ADRCR | TPS5410MDREP | TPS54336ADDAR |
| LM2596SXADJ | LM2596SX-3.3 | LM2596SX-5.0 | LM2596SX-12 | DRV8312DDWR |
| 마이크로컨트롤러 MCU | ||||
| STM8S003F3P6 | STM8S003F3U6TR | STM8S003K3T6C | STM8S003F3P6TR | STM8S003K3T6CT |
| STM8S005C6T6C | STM8S005K6T6C | STM8S103K3T6C | STM8S105K6T6C | 많은 IC 모델들 |
| STM32F030R8T6 | STM32F030C6T6 | STM32F030F4P6 | STM32F030C8T6 | STM32F030K6T6 |
| STM32F030R8T6TR | STM32F030CCT6 | STM32F030RCT6 | STM32F030K6T6T | STM32F030CCT6TR |
| STM32F042C6T6 | STM32F042K6T6 | STM32F042K4U6 | STM32F042F6P7 | STM32F042F4P6TR |
| STM32F042K6U7 | STM32F042G4U6 | STM32F042F4P6 | STM32F042C6U7 | STM32F042K6T7 |
담당자: Darek
전화 번호: +8615017926135
