IGBT 쿨모스 전원 이산 반도체 SPW35N60C3 트랜지스터 Mosfet IGBT N-치 650V 34.6A
분류:
IGBT 전원 모듈
가격:
Negotiable
결제 방법:
전신환, D/P (지급도 조건), 인수 인도, L/C (신용장), 웨스턴 유니온, 머니그램
사양
제품 모델:
NGTB40N120SWG
공급자 패키지:
TO247-3
간결한 설명:
IGBT CoolMOS
상품 카테고리:
IGBT 전원 모듈
적용 분야:
충전 파일
제조 일자:
1년 이내에
하이 라이트:
전원 이산 반도체
,SPW35N60C3
,트랜지스터 Mosfet IGBT
소개
제품 범위
- IGBT 쿨모스 이산 반도체 SPW35N60C3 MOSFET N-치 650V 34.6A TO247-3
App 특성
- 새로운 혁명적 고전압 기술
- 극저 게이트전하
- 주기적 쇄도는 평가되었습니다
- 극단적 드프 /dt는 평가되었습니다
- 극저 실효 용량
- 개선된 상호컨덕턴스
기초 자료
| 제품 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 인피네온 | |
| 상품 카테고리 : | MOSFET |
| 로에스 : | 세부 사항 |
| Si | |
| 관통 홀 | |
| TO-247-3 | |
| 엔-채널 | |
| 1개 채널 | |
| 600 Ｖ | |
| 34.6 A | |
| 100 모엠에스 | |
| - 20 Ｖ, + 20 Ｖ | |
| 2.1 Ｖ | |
| 150 nC | |
| - 55 Ｃ | |
| + 150 Ｃ | |
| 313 Ｗ | |
| 향상 | |
| 쿨모스 | |
| 튜브 | |
| 브랜드 : | 인피니언 테크놀러지 |
| 구성 : | 단일 |
| 강하 시간 : | 10 나노 초 |
| 앞으로 상호컨덕턴스 - 민 : | 36 Ｓ |
| 높이 : | 21.1 밀리미터 |
| 길이 : | 16.13 밀리미터 |
| 상품 종류 : | MOSFET |
| 상승 시간 : | 5 나노 초 |
| 시리즈 : | 쿨모스 C3 |
| 240 | |
| 하위범주 : | MOSFET |
| 트랜지스터형 : | 1 엔-채널 |
| 전형적 정지 지연 시간 : | 70 나노 초 |
| 전형적 턴 온 지연 시간 : | 10 나노 초 |
| 폭 : | 5.21 밀리미터 |
| 부분 # 가칭 : | SPW35N6C3XK SP000014970 SPW35N60C3FKSA1 |
| 단일 가중치 : | 0.211644 온스 |
다운로드 데이터 시트
- IGBT 쿨모스 이산 반도체 SPW35N60C3 MOSFET N-치 650V 34.6A TO247-3
애플리케이션
- 넓게 무대, 콘서트, 네트워크 통신, 스마트폰 태블릿 노트북 노트북 전원용 어댑터들 카메라 동글에 사용했습니다
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