반도체 파워 모스펫 트랜지스터 n채널 STB24N60DM2
분류:
전계 효과 트랜지스터
가격:
Negotiable
결제 방법:
전신환, L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램
사양
제품 모델:
STB24N60DM2
공급자 패키지:
TO-263-3
간결한 설명:
MOSFET
트랜지스터 극성:
N채널
적용 분야:
애플리케이션 전환
제조 일자:
1년 이내에
하이 라이트:
반도체 파워 모스펫 트랜지스터
,파워 모스펫 트랜지스터 n채널
,STB24N60DM2
소개
제품 범위
- STB24N60DM2 반도체 파워 모스펫 트랜지스터는 저용량 전류 조절기 부품을 처리합니다 엔-채널
- 엔-채널 600 Ｖ, 0.13 Ω 티피, D2PAK의 21 마드메쉬티엠 DM2 파워 모스펫, TO-220과 TO-247 패키지
App 특성
- 특징
- 패스트 리커버리 바디 다이오드
- 극단적으로 낮은 게이트전하와 입력 커패시턴스
- 낮은 온 저항
- 시험된 100% 쇄도
- 극단적으로 높은 드프 / dt 거침성
- 보호된 제너
- 기술
- 이러한 고전압 엔-채널 파워 모스펫은 마드메쉬티엠 DM2 패스트 리커버리 다이오드 시리즈의 일부입니다. 그들은 매우 (트르가) 그들을 가장 부담스러운 고효율 컨버터에 적합하고 브리지 위상과 ZVS 위상 편위 컨버터에 이상적이게 하면서, (계속) 낮은 RDS에 결합되는 낮은 회복 충전 (큐르르)와 시간을 제공합니다.
기초 자료
| 제품 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 스트미크로일렉트로닉스 | |
| 상품 카테고리 : | MOSFET |
| 로에스 : | 세부 사항 |
| Si | |
| SMD / SMT | |
| TO-263-3 | |
| 엔-채널 | |
| 1개 채널 | |
| 600 Ｖ | |
| 18 A | |
| 200 모엠에스 | |
| - 25 Ｖ, + 25 Ｖ | |
| 4 Ｖ | |
| 29 nC | |
| - 55 Ｃ | |
| + 150 Ｃ | |
| 150 Ｗ | |
| 향상 | |
| 프드메쉬 | |
| 릴 | |
| 컷 테이프 | |
| 릴 | |
| 브랜드 : | 스트미크로일렉트로닉스 |
| 구성 : | 단일 |
| 강하 시간 : | 15 나노 초 |
| 상품 종류 : | MOSFET |
| 상승 시간 : | 8.7 나노 초 |
| 시리즈 : | STB24N60DM2 |
| 1000 | |
| 하위범주 : | MOSFET |
| 전형적 정지 지연 시간 : | 60 나노 초 |
| 전형적 턴 온 지연 시간 : | 15 나노 초 |
| 단일 가중치 : | 0.139332 온스 |
다운로드 데이터 시트
애플리케이션
- 교환 응용
- 비엘디씨 모터
- 3상 영구 자석 동기 전동기
- 인버터
- 반 브리지 드라이버
- 로봇 컨트롤 시스템즈
- 장치
- 격자 하부 구조
- 에포스 오우 집 테레이트
- 분배된 전원 시스템
- 통신 / 네트워킹 하부 구조
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