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게이트 드라이버 아날로그 절연체 IC 반도체 SMD 반도체 IR21814SPBF IGBT MOSFET

분류:
아날로그 절연체 IC
가격:
Negotiable
결제 방법:
전신환, L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램
사양
제품 모델:
IR21814SPBF
공급자 패키지:
SOIC-14
간결한 설명:
반도체
상품 카테고리:
집적 회로
적용 분야:
게이트 드라이버
제조 일자:
1년 이내
소개
제품 범위
 
  • 아날로그 절연체 ICs 전원관리 Ic 집적 회로 IR2103PBF PDIP-8
  • IR2103(S)는 고전압입니다, 의존하는 높고 낮쪽과 고속도 파워 모스펫과 IGBT 운전자가 다중에 참조 사항을 달았습니다. 독점 HVIC과 래치 면역 CMOS 기술은 울퉁불퉁한 단위 구성을 가능하게 합니다. 논리 입력은 3.3V 논리아래로, 표준 cmos 또는 저전력 쇼트키 트랜지스터 트랜지스터 논리 출력과 호환 가능합니다. 출력 드라이버는 최소 운전자들 교차 전도를 위해 설계된 펄스고전류 버퍼 스테지를 특징으로 합니다. 보동 채널은 최고 600까지 볼트를 운영하는 높은 측면 구성도에서 엔-채널 파워 모스펫 또는 IGBT를 운전하는데 사용될 수 있습니다.
App 특성
  •  보동 채널은 면역성인 과도 전압 dV/dt를 부정하도록 관대한 +600V에 완전히 사용가능한 부트 스트랩 작동의 설계를 했습니다
  •  게이트 드라이브 공급은 10에서 20V의 범위입니다
  •  양쪽 채널을 위한 하측 전압 로크 아웃
  •  적합한 3.3V와 5V 입력 논리
  •  양쪽 채널을 위한 조화된 전달 지연
  •  논리와 전원 지상 +/- 5V 벌충.
  •  더 좋은 잡음 면역성을 위한 낮은 직경 / dt 게이트 드라이버
  •  출력원 / 싱크 전류 역량 1.4A/1.8A
  •  또한 이용 가능하 무연 (PbF)
  1. 기술
  • IR2181(4)(S)는 고전압입니다, 독립적 높고 낮쪽과 고속도 파워 모스펫과 IGBT 운전자가 다중에 참조 사항을 달았습니다. 프로?프리에레리 HVIC과 래치 면역 CMOS 기술은 루그지를 가능하게 합니까?디즈드 단위 구성. 논리 입력은 3.3V 논리아래로, 표준 cmos 또는 저전력 쇼트키 트랜지스터 트랜지스터 논리 출력과 호환 가능합니다. 출력 드라이버는 최소 운전자들 적십자를 위해 설계된 펄스고전류 버퍼 스테지를 특징으로 합니까?전도성. 보동 채널은 최고 600까지 볼트를 운영하는 높은 측면 구성도에서 엔-채널 파워 모스펫 또는 IGBT를 운전하는데 사용될 수 있습니다.
기초 자료
제품 속성 속성 값
인피네온
상품 카테고리 : 게이트 드라이버
로에스 : 세부 사항
IGBT, mosfet 게이트 드라이버
고전위측, 로우-측
SMD / SMT
SOIC-14
2개 드라이버
2개 출력
1.8 A
10 V
20 V
60 나노 초
35 나노 초
- 40 C
+ 125 C
튜브
브랜드 : 인피니언 테크놀러지
특징 : 독립형
높이 : 1.5 밀리미터
길이 : 8.74 밀리미터
논리형 : CMOS, TTL
최대 정지 지연 시간 : 220 나노 초
최대 턴 온 지연 시간 : 180 나노 초
민감한 수분 :
작동 공급 전압 : 20 V에 대한 10 V
Pd - 전력 소모 : 1000 mW
상품 종류 : 게이트 드라이버
전달 지연 - 맥스 : 330 나노 초
1980
하위범주 : PMIC - 전원관리 ICs
기술 : Si
폭 : 3.99 밀리미터
부분 # 가칭 : IR21814SPBF SP001536712
단일 가중치 : 0.057144 온스
다운로드 데이터 시트
애플리케이션
 
  • RGB 또는 RGBA LED 드라이버
  • LED 상태 정보
  • LED 디스플레이
  • LCD 백라이드
  • 휴대폰 또는 휴대용 장치를 위한 키패드 백라이트
  • 비엘디씨 모터
  • 3상 영구 자석 동기 전동기
  • 인버터
  • 반 브리지 드라이버
  • 로봇 컨트롤 시스템즈
  • 장치
  •  격자 하부 구조
  •  에포스 오우 집 테레이트
  •  분배된 전원 시스템
  •  통신 / 네트워킹 하부 구조
순서 프로세스

 

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