n채널 전계 효과 트랜지스터 Mosfet 이산 반도체 IRFS3207ZTRRPBF
사양
제품 모델:
IRFS3207ZTRRPBF
공급자 패키지:
TO-263-3
간결한 설명:
MOSFET
트랜지스터 극성:
N채널
적용 분야:
회로보호
제조 일자:
1년 이내에
강조하다:
엔 채널 전계 효과 트렌지스터
,전계 효과 트랜지스터 Mosfet
소개
MOSFET 트랜지스터 전계 효과 트랜지스터 이산 반도체 IRFS3207ZTRRPBF n채널
제품 범위
- MOSFET 트랜지스터 전계 효과 트랜지스터 이산 반도체 IRFS3207ZTRRPBF n채널
- MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC
App 특성
- 특징
- SMPS의 고효율 동기 정류
- 무정전 전원장치
- 고속도 전력스위칭
- 열심히 교환되고 초고주파 회로
- 혜택
- 개선된 게이트, 쇄도와 동적 드프 / dt 거침성
- 완전히 특징 전기 용량과 쇄도 소아
- 강화한 바디 다이오드 dV/dt와 dI/dt 역량
- 무연성
- 로에스 순응한, 무할로겐
기초 자료
제품 속성 | 속성 값 |
---|---|
인피네온 | |
상품 카테고리 : | MOSFET |
로에스 : | 세부 사항 |
Si | |
SMD / SMT | |
TO-263-3 | |
엔-채널 | |
1개 채널 | |
75 V | |
170 A | |
4.1 모엠에스 | |
- 20 V, + 20 V | |
4 V | |
170 nC | |
- 55 C | |
+ 175 C | |
300 W | |
향상 | |
릴 | |
컷 테이프 | |
릴 | |
브랜드 : | 인피니언 테크놀러지 |
구성 : | 단일 |
강하 시간 : | 68 나노 초 |
앞으로 상호컨덕턴스 - 민 : | 280 S |
높이 : | 4.4 밀리미터 |
길이 : | 10 밀리미터 |
상품 종류 : | MOSFET |
상승 시간 : | 68 나노 초 |
800 | |
하위범주 : | MOSFET |
트랜지스터형 : | 1 엔-채널 |
폭 : | 9.25 밀리미터 |
부분 # 가칭 : | IRFS3207ZTRRPBF SP001565050 |
단일 가중치 : | 0.139332 온스 |
다운로드 데이터 시트
애플리케이션
- 비엘디씨 모터
- 3상 영구 자석 동기 전동기
- 인버터
- 반 브리지 드라이버
- 로봇 컨트롤 시스템즈
- 장치
- 격자 하부 구조
- 에포스 오우 집 테레이트
- 분배된 전원 시스템
- 통신 / 네트워킹 하부 구조
- 나뒤스트리얼 전원 공급기 오우 태양에너지
- 모터 드라이브
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