W25Q16JVSSIQ 메모리용 IC은 21M 비트 반도체 Dram 플래시를 자릅니다

윈본드 가전 제품의 메모리용 IC 칩 반도체 Dram 순간 W25Q32JVSSIQ 저장

윈본드 가전 제품의 메모리용 IC 칩 플래시 반도체 드램 W25Q16JVSSIQ 저장

• W25Q32JV (32M 약간) 시리얼 플래시 메모리는 시스템을 위한 스토리지 솔루션에 제한된 공간, 핀과 전력을 제공합니다. 25Q 시리즈는 보통 일련의 플래시 장치를 넘어서 잘 유연성과 성능을 제공합니다. (XIP) 직접적으로 듀얼 / 쿼드 SPI로부터 코드와 음성을 저장하면서, 문자와 데이터를 실행하면서, 그들은 RAM에 코드 음영에 이상적입니다. 장치는 전원 끄기를 위해 1uA만큼 낮게 전류 소모와 2.7V 내지 3.6V 전원 공급기에 작용합니다.
• W25Q32JV 배열은 각각 256 바이트의 16,384개의 프로그램 가능한 페이지로 조직됩니다. 최고 256까지 바이트는 동시에 프로그램을 짤 수 있습니다. 페이지는 16 (4KB 부문이 쉽게 지워집니다)의 그룹, 128 (32KB 블록이 쉽게 지워집니다)의 그룹, (64KB 블록이 쉽게 지워집니다) 256의 그룹 또는 전체 칩에서 없어질 수 있습니다 (칩이 쉽게 지워집니다). W25Q32JV는 각각 1,024개의 소거 가능 섹터와 64개의 소거가능한 블록을 갖. 작은 4KB 부문은 데이터와 매개 변수 저장을 요구하는 응용의 더 큰 유연성을 고려합니다. (형태 2를 보세요.)
• W25Q32JV는 표준 에스피아이 (SPI)와 듀얼 / 쿼드 입출력 SPI와 더불어 고성능 듀얼 / 쿼드 출력을 지원합니다 : 시리얼 클락과 칩 선택, 직렬 데이터 I/O0 (DI), I/O1 (DO), I/O2와 I/O3. 최고 133MHz까지 SPI 클럭 주파수는 급속 읽기 듀얼 / 쿼드 입출력 명령어를 사용할 때 듀얼 입출력을 위한 266MHz (133MHz x 2)와 쿼드 입출력을 위한 532MHz (133MHz x 4)의 동등한 클락 레이트를 허락하여 지원받습니다. 이러한 전송 속도는 표준 비동시적 8과 16비트 병렬형 플래시 메모리를 능가할 수 있습니다.
•  스피플래시 추억의 새로운 가족
•  최고 성능 일련의 플래시
•  효율적 연속적인 읽기
•  저 소비 전력, 넓은 온도 영역
•  4KB 분야와 유연한 구조
•  진보적 보안 설비
•  효율적인 포장을 간격을 두세요

• 윈본드 가전 제품의 메모리용 IC 칩 반도체 Dram 순간 W25Q32JVSSIQ 저장

• 분배된 전원 시스템
• 통신 / 네트워킹 하부 구조
• 나뒤스트리얼 전원 공급기 오우 태양에너지
• 모터 드라이브
• 제어
• 지로 수준
• 균형을 잡기구
• ABS 잠금 방지 브레이크 시스템
• GPS 네비게이션 시스템
• 엔진 지적 전자제어장치
• LCD 운전 제어 장치
• 스마트 가전
• 가전제품을 위한 무선 충전